抗强磁干扰型传感器是基于半导体技术的传感器，原理是响应磁场的变化而改变感应电压，这类传感器将效应传感元件结合到电路中，以提供一个对应磁场变化而感应的数字开/关或模拟输出信号，而无需任何运动部件。

　　不同于磁簧开关，效应器件含有源电路，因此始终需要少量的电流，效应器件是可编程的，可以以各种方式加以使用以获得多种输出，包括数字、模拟和速度感测。

　　抗强磁干扰型传感器使用注意事项：

　　（1）为了得到较好的动态特性和灵敏度，必须注意原边线圈和副边线圈的耦合，要耦合得好，用单根导线且导线*填满传感器模块孔径。

　　（2）使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈，且次级电路没有接通电源|稳压器或副边开路，则其磁路被磁化，而产生剩磁，影响测量精度（故使用时要先接通电源和测量端M），发生这种情况时，要先进行退磁处理，其方法是不加电源，而在原边线圈中通一同样等级大小的交流电流并逐渐减小其值。

　　（3）在大多数场合，传感器都具有很强的抗外磁场干扰能力，一般在距离模块5-10cm之间存在一个两倍于工作电流的电流所产生的磁场干扰是可以忽略的，但当有更强的磁场干扰时，要采取适当的措施来解决。通常方法有：

　　①调整模块方向，使外磁场对模块的影响小；②在模块上加罩一个抗磁场的金属屏蔽罩；③选用带双霍尔元件或多霍尔元件的模块电源维修。